Samsung heeft aangekondigd dat het 8GB Dual in line geheugen modules (DIMM) gaat maken waarbij de geheugenchips op elkaar geplaatst worden. Het idee erachter is om het geheugen tot 50 procent te verkleinen ten opzichte van conventionele DIMM modules. De geheugenchips zijn gebaseerd op Samsung's Green DDR3 DRAM en worden gefabriceerd met 40nm technologie.In de press release wordt gezegd dat Samsung hierbij mikt op de server en enterprise opslag markt. Met de nieuwe techniek zou ook tot 40 procent vermogen gespaard worden ten opzichte van de traditionele RDIMM. 'Using the technology will greatly improve chip density in next-generation server systems' voegt Samsung er aan toe.
De nieuwe TVS technologie maakt door het silicium van de chip kleine verticale micro gaatjes die gevuld worden met koper. Zo worden verbindingen gemaakt met verschillende dies boven elkaar zonder ruimte te verliezen door bedrading. Je kan het vergelijken met een via of doorverbinding op een printplaat, maar dan op silicium niveau.
Samsung wil deze TVS technologie ook gaan gebruiken bij 30nm geheugens en nog kleinere technologieën.
Verwacht wordt dat de nieuwe RDIMM geheugens vanaf half volgend jaar op de markt komen maar over welke prijsklasse we spreken werd niet aangehaald.
(bron: fudzilla)